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Qorvo发布全新更高性能的GaN分立式LNA和驱动器

来源:信息发布     作者:信息发布人员     发布时间:2017年03月13日     浏览次数:         

Qorvo发布全新更高性能的GaN分立式LNA和驱动器

  Qorvo发布了一系列六款全新的GaN芯片晶体管——TGF2933-36和TGF2941-42,新产品的高频性能更出色,噪声更低,这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。该系列六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的Qorvo 0.15μm碳化硅基氮化镓工艺:QGaN15。QGaN15工艺使晶体管工作频率高达25 GHz,支持芯片级设计,通过K频段应用提供频率更高且经济高效的分立式技术。

  Qorvo是国防和有线行业的领先GaN RF供应商。自1999年起,Qorvo 就一直在推动GaN研究和创新,提供经过检验的GaN可靠性和紧凑型、高效率产品。Qorvo于2014年完成了美国国防生产法案第三法令的GaN on SiC计划,是获得国防制造机构认证的1A类可信来源。公司还是唯一一家达到9级制造成熟度(MRL-9)的GaN供应商。Qorvo一直推动GaN产品的下一代系统创新(从直流到Ka频段),凭借其可靠的性能、低维护和长运行寿命,成功实现从工厂到现场的转变。